代750V英飞凌新一T产品亮点

来历：英飞凌。英飞官微 。凌新

750V 碳化硅。代V点MOSFET 。品亮——750V CoolSiC MOSFET车规级和工业级产品，英飞导通电阻规模7mΩ至140mΩ 。凌新

英飞凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器材具有业界抢先的代V点抗寄生导通才能和成熟的栅极氧化层技能，可在To 。品亮te 。英飞m Pole 、凌新ANPC
、代V点Vienna整流器和FCC等硬开关拓扑中完成杰出功能 。品亮

此外 ，英飞第二代产品大幅下降输出。凌新电容。代V点(Coss)，使其可以在Cycloconverter 、CLLC、DAB和LLC等软开关拓扑中以更高开关频率运转。

该产品完美适用于对可靠性
、功率密度和功率有严格要求的使用 ，包含车载充电器、。DC。-DC 。转换器。、DC- 。AC。转换器，以及。AI。服务器
、太阳能 。逆变器。和电动汽车充电设备
。选用Q-DPAK封装可充分发挥SiC技能固有的快速开关速度，一起保证约20W的功率耗散才能
。

产品亮点。

CoolSiC MOSFET 750 V。

稳健的750 V技能，经过测验的100%抗雪崩才能。

鹤立鸡群的RDS(on)x Qfr 。

超卓的 RDS(on)x Qoss及 RDS(on)x QG。

低C。rs。s/Ciss和高VGS(th)的共同组合。

英飞凌专有裸片接合技能。

供给驱动源引脚。

要害特性 。

插件和贴片封装。

集成开尔文源极。

车规级器材契合AEC-Q101 。认证。规范，工业级器材经过JEDEC认证。

高度细分的产品组合：导通电阻规模8mΩ至140mΩ ，支撑多种封装标准。

Q-DPAK顶部散热封装。

顶部散热（TSC）器材是外表贴装功率器材  ，焊接在印刷电路板（ 。PCB。）上
。半导体 。芯片发生的热量经过封装顶部传导至衔接的散热器
。TSC功率封装是改进热功能和。电气。功能的解决方案 。这类封装还有助于进步功率密度并下降制作难度 。

车规级MOSFET
。

“。Ti。ny Power Box”项目由英飞凌与奥地利硅实验室（Silicon Austria Labs）联合开发 ，选用全英飞凌CoolSiC 解决方案，打造了一款紧凑型单相7千瓦车载充电器 。